我並不清楚磁性開關元件的製程,但對designer而言,我確定magnetic IC比CMOS IC好設計。Magnetic switch是以瞬間電流脈衝改變開關狀態且不用像CMOS switch須持續供電維持開關狀態,如此開關狀態也就可以作為記憶值,所以magnetic switch本身就是非揮發性memory。想想,CMOS IC的SRAM要幾個單位的MOS才能兜成一個bit的記憶單元,DRAM雖然所占空間較小卻要時時補電reflush電容,magnetic IC的MRAM(其實就是switches)所占空間更小,半導體單元本身就是記憶體。Magnetic switch沒有MOS需要NMOS與PMOS兩種開關互補為一個完整開關CMOS的問題。MOS是非線性電阻,實作類比電路比較難設計;magnetic switch是線性電阻,實作類比電路比較容易設計。Magnetic IC也較CMOS IC容易實現以pluse為基礎漣波驅動的積體電路。
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